풀이
문제 1. 표에서
TB/T0=x(γ−1)/γ, VB/V0=x−1/γ 이다. 엔트로피 식에 대입하면,
ΔSAB=ncVln(x(γ−1)/γ)+nRln(x−1/γ)=ncVγγ−1lnx−γnRlnx=γn[cV(γ−1)−R]lnx=0,
이는 cV(γ−1)=R 이기 때문이다. 복귀는 같은 경로를 반대로 따르므로 ΔSBA=0 이다. 두 단계 각각과 전체 왕복에서 Se=Si=ΔS=0 이다. 기체는 상태 A 로 돌아온다.
문제 2. 급격한 압축에서
TB′/T0=θ, VB′/V0=θ/x 이다.
R=cV(γ−1) 와 로그 성질을 쓰면,
ΔSAB′=ncVlnθ+nRlnxθ=ncV[lnθ+(γ−1)(lnθ−lnx)]=ncV[γlnθ−(γ−1)lnx]=ncVln(xγ−1θγ).
주어진 부등식 θ>x(γ−1)/γ 는 θγ>xγ−1 를 준다. 로그 안의 비가 1보다 크므로 ΔSAB′>0 이다. 교환 엔트로피는 0이어서 Si,AB′=ΔSAB′ 이다. 기체는 열을 받지 않고도 생성에 의해 엔트로피가 증가한다.
문제 3. 급격한 하중 제거 단계의 최종 상태와 초기 상태의 비는
TB′TB"=θθφ=φ,VB′VB"=θ/xθφ=xφ.
따라서,
ΔSB′B"=ncVlnφ+nRln(xφ)=ncV[lnφ+(γ−1)(lnx+lnφ)]=ncV[γlnφ+(γ−1)lnx]=ncVln(φγxγ−1)>0.
실제로 φ>x−(γ−1)/γ 에서 φγxγ−1>1 이다. 여기서도 Se=0, Si,B′B"=ΔSB′B" 이다. 이 팽창에서 기체는 식지만 (φ<1), 팽창 항이 우세하여 엔트로피는 증가한다.
문제 4. 상태
A, B" 의 압력은 같고
TB"/T0=VB"/V0=θφ 이므로,
ΔSAB"=ncVln(θφ)+nRln(θφ)=ncPln(θφ)>0.
cP=cV+R, θφ>1 를 사용했다. 이제 앞의 두 결과를 더하면,
ΔSAB′+ΔSB′B"=ncV[γlnθ−(γ−1)lnx+γlnφ+(γ−1)lnx]=ncVγ(lnθ+lnφ)=ncPln(θφ)=ΔSAB".
lnx 항이 상쇄된다. 각 단계가 단열이므로 이 합은 두 생성 엔트로피의 합이기도 하다. 외압이 P0 로 돌아오는 것만으로 기체의 순환이 닫히지는 않는다. TB">T0, VB">V0 이므로 B"=A 이다.
문제 5. A→B→A 에서
Qtot=Wtot=ΔUtot=0, Si,tot=0 이다.
A→B′→B" 에서는,
Qtot=0,Wtot=ΔUtot=ncVT0(θφ−1)>0,Se,tot=0,Si,tot=ΔStot=ncPln(θφ)>0.
제1법칙은 순일이 내부에너지로 저장됨을 설명하고 제2법칙은 생성 엔트로피로 비가역성을 정량화한다. 단열 과정이 등엔트로피인 것은 여기의 가역 경우처럼 엔트로피를 생성하지 않을 때뿐이다.